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MOSFET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Min] (A)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Typ] (Ohm)
駆動電圧3[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
インフィニオンテクノロジーズ

購入する 表示件数:
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET OptiMOS Small-Signal-Transistor 量産体制 TO-263AB 2.9mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.3A 0.5W 1.5V 2.5V 60V 1.6Ohm 3Ohm 10V 2Ohm 4Ohm 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET OptiMOS Small-Signal-Transistor 量産体制 PG-SOT-363 2mm 1.25mm 表面実装 0.65mm 6 ○ 150Cel 2 セパレート Nチャネル 0.3A 0.5W 1.5V 2.5V 60V 0.1microA 1.6Ohm 3Ohm 10V 2Ohm 4Ohm 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET OptiMOS Small-Signal-Transistor 量産体制 PG-SOT-363 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 6 ○ 150Cel 2 セパレート Nチャネル 0.3A 0.5W 1.5V 2.5V 60V 0.1microA 1.6Ohm 3Ohm 10V 2Ohm 4Ohm 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET OptiMOS Small-Signal-Transistor 量産体制 PG-SOT-23 2.9mm 1.3mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.3A 0.5W 1.5V 2.5V 60V 0.1microA 1.6Ohm 3Ohm 10V 2Ohm 4Ohm 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC Automotive 1200V SiC Trench MOSFET 1200V G1 Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 52A 228W 3.5V 5.7V 1200V 200microA 35mOhm 46mOhm 18V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 52A 228W 3.5V 5.7V 1200V 200microA 45mOhm 59mOhm 15V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET, Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 52A 228W 3.5V 5.7V 1200V 200microA 45mOhm 59mOhm 15V 55mOhm 15V 75mOhm 15V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC Automotive 1200V SiC Trench MOSFET 1200V G1 Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 36A 150W 3.5V 5.7V 1200V 180microA 60mOhm 78mOhm 18V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC Automotive 1200V SiC Trench MOSFET 1200V G1 Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 33A 150W 3.5V 5.7V 1200V 180microA 80mOhm 104mOhm 15V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 75A 140W 2V 4V 60V 20microA 6.8mOhm 8.5mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.16mm 4.195mm 15.365mm 基板挿入 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 75A 140W 2V 4V 55V 20microA 5.8mOhm 7.5mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 75A 140W 2V 4V 55V 20microA 5.8mOhm 7.5mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 79A 110W 2V 4V 60V 20microA 7.1mOhm 8.4mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.16mm 4.19mm 15.365mm 基板挿入 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 195A 300W 2V 4V 24V 20microA 1.2mOhm 1.5mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 195A 300W 2V 4V 24V 20microA 1.3mOhm 1.65mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK-7 10.095mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 1.27mm 7 ○ 175Cel 1 Nチャネル 240A 300W 2V 4V 24V 20microA 0.8mOhm 1mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET WIDELEAD HEXFET Power MOSFET 量産体制 TO-262 Widelead 10.16mm 4.445mm 基板挿入 3.81mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 240A 300W 2V 4V 24V 20microA 1.16mOhm 1.3mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFETs 量産体制 TO-220AB 10.16mm 4.195mm 15.365mm 基板挿入 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 160A 333W 2V 4V 40V 20microA 3.5mOhm 4mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 TO-262 10.16mm 4.445mm 基板挿入 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 75A 3.8W 2V 4V 40V 20microA 3.5mOhm 4mOhm 10V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 75A 3.8W 2V 4V 40V 20microA 3.5mOhm 4mOhm 10V