|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel 5.7 kV (rms) isolated gate driver IC with active Miller clamp or separate output |
1ED31xxMCシリーズ |
量産体制
|
PG-DSO-8 300mil |
7.5mm |
6.4mm |
2.35mm |
表面実装
|
1.27mm |
8 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3.1V |
|
15V |
|
1.1mA |
1 |
2A |
5.5A |
|
|
|
30ns |
|
|
30ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel 5.7 kV (rms) isolated gate driver IC with active Miller clamp or separate output |
1ED31xxMUシリーズ |
量産体制
|
PG-DSO-8 300mil |
7.5mm |
6.4mm |
2.35mm |
表面実装
|
1.27mm |
8 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3.1V |
|
15V |
|
1.1mA |
1 |
2A |
5.5A |
|
|
|
30ns |
|
|
30ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel 5.7 kV (rms) isolated gate driver IC with active Miller clamp or separate output |
1ED31xxMUシリーズ |
量産体制
|
PG-DSO-8 300mil |
7.5mm |
6.4mm |
2.35mm |
表面実装
|
1.27mm |
8 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3.1V |
|
15V |
|
1.1mA |
1 |
2A |
5.5A |
|
|
|
30ns |
|
|
30ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel 5.7 kV (rms) isolated gate driver IC with adjustable DESAT and soft-off |
1ED31xシリーズ |
量産体制
|
PG-DSO-16 |
7.5mm |
6.4mm |
2.35mm |
表面実装
|
0.65mm |
16 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3V |
|
5.5V |
2.4mA |
4mA |
2 |
2.6A |
3.8A |
|
|
15ns |
30ns |
|
15ns |
30ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel isolated gate dri ver ICs in 150 mil DSO package |
1EDBxシリーズ |
量産体制
|
PG-DSO-8 150mil |
5mm |
4mm |
|
表面実装
|
1.27mm |
8 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3V |
|
15V |
0.85mA |
1mA |
1 |
|
0.84mA |
1mA |
|
8.3ns |
16ns |
|
5ns |
9ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package |
1EDCシリーズ |
量産体制
|
PG-DSO-8-59 |
7.5mm |
6.3mm |
2.35mm |
表面実装
|
1.27mm |
8 |
- |
-40Cel |
125Cel |
13V |
|
35V |
|
500mA |
2 |
6A |
10A |
|
5ns |
10ns |
20ns |
4ns |
9ns |
19ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel functional and reinforced isolated gate-drive ICs for high-voltage enhancement-mode GaN HEMTs |
1EDF5673Fシリーズ |
量産体制
|
PG-DSO-16-11 |
10mm |
4mm |
|
表面実装
|
1.27mm |
16 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3V |
|
3.5V |
|
|
6 |
|
4A |
5.2A |
|
6.5ns |
12ns |
|
4.5ns |
8ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel functional and reinfo rced isolated gate-drive ICs for high-voltage enhancement-mode GaN HEMTs |
|
量産体制
|
PG-TFLGA-13-1 |
5mm |
5mm |
|
表面実装
|
0.65mm |
13 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3V |
|
3.5V |
|
|
6 |
|
|
|
|
6.5ns |
12ns |
|
4.5ns |
8ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single Channel MOSFET and GaN HEMT Gate Driver IC |
|
量産体制
|
PG-DSO-8-51 |
4.9mm |
3.9mm |
1.45mm |
表面実装
|
1.27mm |
8 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3.1V |
|
17V |
0.65mA |
1mA |
1 |
2A |
4A |
|
5ns |
10ns |
20ns |
4ns |
9ns |
19ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single channel isolated IGBT driver |
|
量産体制
|
PG-DSO-20 |
7.5mm |
6.4mm |
2.35mm |
表面実装
|
0.5mm |
20 |
○ |
|
|
3V |
|
5.5V |
5mA |
|
2 |
12A |
|
|
|
|
55ns |
|
|
45ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single channel isolated SiC-MOSFET driver |
|
量産体制
|
PG-DSO-20 |
7.5mm |
6.4mm |
2.35mm |
表面実装
|
0.5mm |
20 |
○ |
|
|
3V |
|
5.5V |
5mA |
|
2 |
12A |
|
|
|
|
55ns |
|
|
45ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package |
1EDIシリーズ |
量産体制
|
PG-DSO-8-59 |
7.5mm |
6.3mm |
2.35mm |
表面実装
|
1.27mm |
8 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3.1V |
|
17V |
0.65mA |
1mA |
1 |
6A |
10A |
|
5ns |
10ns |
20ns |
4ns |
9ns |
19ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel low-side gate dri ver IC with 4 A source/ 8 A sink output stage |
1EDNxシリーズ |
量産体制
|
PG-SOT23-6 |
2.9mm |
1.6mm |
1.15mm |
表面実装
|
0.95mm |
6 |
- |
|
|
4.5V |
|
20V |
0.4mA |
|
1 |
|
8A |
|
|
6.5ns |
11ns |
|
4.5ns |
9ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel high-side and low-side gate driver with high-CMR TDI inputs |
1EDNxシリーズ |
量産体制
|
PG-SOT23-6 |
2.9mm |
1.6mm |
1.15mm |
表面実装
|
0.95mm |
6 |
- |
|
|
4.5V |
|
20V |
1.3mA |
|
1 |
|
8A |
|
|
6.5ns |
15ns |
|
4.5ns |
15ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel high-side and low-side gate driver with high-CMR TDI inputs |
1EDNxシリーズ |
量産体制
|
PG-SOT23-6 |
2.9mm |
1.6mm |
1.15mm |
表面実装
|
0.95mm |
6 |
- |
|
|
4.5V |
|
20V |
1.3mA |
|
1 |
|
8A |
|
|
6.5ns |
15ns |
|
4.5ns |
15ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
Single-channel functional and reinfo rced isolated gate-drive ICs for high-voltage enhancement-mode GaN HEMTs |
|
量産体制
|
PG-DSO-16-30 |
10.3mm |
7.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
1.27mm |
16 |
- |
-40Cel |
125Cel |
3V |
|
3.5V |
|
|
6 |
|
|
|
|
6.5ns |
12ns |
|
4.5ns |
8ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode |
2ED210xシリーズ |
量産体制
|
DSO-14 |
8.65mm |
3.9mm |
1.47mm |
表面実装
|
1.27mm |
14 |
- |
-40Cel |
125Cel |
10V |
|
20V |
300microA |
600microA |
1 |
|
290mA |
|
|
100ns |
150ns |
|
35ns |
80ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode |
2ED210xシリーズ |
量産体制
|
DSO-8 |
4.9mm |
3.9mm |
1.47mm |
表面実装
|
1.27mm |
8 |
- |
-40Cel |
125Cel |
10V |
|
20V |
300microA |
600microA |
1 |
|
290mA |
|
|
100ns |
150ns |
|
35ns |
80ns |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
12 V/24 V smart analog high-side MOSFET gate driver |
|
量産体制
|
PG-TSDSO-24 |
8.65mm |
3.9mm |
0.95mm |
表面実装
|
0.65mm |
24 |
○ |
|
|
6V |
|
15V |
|
|
2 |
|
|
|
|
7micros |
15micros |
|
2micros |
5micros |
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
ゲートドライバ |
120 V Boot, 3 A / 4 A, Junction-Isolated High Side and Low Side Gate Driver ICs |
2EDL8xシリーズ |
量産体制
|
VDSON-8 |
4mm |
4mm |
|
表面実装
|
0.8mm |
8 |
- |
|
|
8V |
10V |
17V |
2.9mA |
3.2mA |
1 |
|
|
|
|
45ns |
54ns |
|
45ns |
54ns |