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イサハヤ電子
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接合型FET |
低周波増幅用Pチャネル接合形(ミニタイプ) |
量産体制
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SC-59/TO-236 @JEITA/JEDEC |
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表面実装
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125Cel |
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イサハヤ電子
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接合型FET |
低周波増幅用Pチャネル接合形(スーパーミニタイプ) |
量産体制
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SC-70 |
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表面実装
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125Cel |
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イサハヤ電子
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接合型FET |
低周波増幅用Pチャネル接合形(フレームタイプ) |
量産体制
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125Cel |
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イサハヤ電子
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接合型FET |
低周波増幅用Nチャネル接合形(フレームタイプ) |
量産体制
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125Cel |
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イサハヤ電子
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接合型FET |
低周波増幅用Nチャネル接合形(フレームタイプ) |
量産体制
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125Cel |
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イサハヤ電子
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接合型FET |
シリコンNチャネル接合形(ミニタイプ) |
事前準備
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SC-90 |
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表面実装
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イサハヤ電子
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接合型FET |
シリコンNチャネル接合形 |
事前準備
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表面実装
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イサハヤ電子
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接合型FET |
低周波増幅用Nチャネル接合形(ミニタイプ) |
量産体制
|
SC-59/TO-236 @EIAJ/JEDEC |
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|
表面実装
|
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125Cel |
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|
イサハヤ電子
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接合型FET |
低周波増幅用Nチャネル接合形(ミニタイプ) |
量産体制
|
SC-59/TO-236 @JEITA/JEDEC |
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|
表面実装
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125Cel |
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|
イサハヤ電子
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|
接合型FET |
低周波増幅用Nチャネル接合形(スーパーミニタイプ) |
量産体制
|
SC-70 |
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表面実装
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|
125Cel |
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イサハヤ電子
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|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-59/TO-236 |
2.8mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
0.95mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |
|
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-70 |
2mm |
1.25mm |
0.9mm |
表面実装
|
0.65mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |
|
|
|
イサハヤ電子
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|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-75A |
1.7mm |
0.8mm |
0.7mm |
表面実装
|
0.5mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |
|
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-59/TO-236 |
2.8mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
0.95mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |
|
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-70 |
2mm |
1.25mm |
0.9mm |
表面実装
|
0.65mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |
|
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-75A |
1.7mm |
0.8mm |
0.7mm |
表面実装
|
0.5mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |
|
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-59/TO-236 |
2.8mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
0.95mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |
|
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-70 |
2mm |
1.25mm |
0.9mm |
表面実装
|
0.65mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |
|
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-75A |
1.7mm |
0.8mm |
0.7mm |
表面実装
|
0.5mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |
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|
イサハヤ電子
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|
MOSFET |
高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SC-59/TO-236 |
2.8mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
0.95mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
Pチャネル |