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MOSFET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
イサハヤ電子

購入する 表示件数:
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-59/TO-236 2.8mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -100mA 200mW -0.6V -1.2V -50V -1microA 7Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-70 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -100mA 200mW -0.6V -1.2V -50V -1microA 7Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-75A 1.7mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -100mA 150mW -0.6V -1.2V -50V -1microA 7Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-59/TO-236 2.8mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -200mA 200mW -0.6V -1.2V -30V -1microA 3Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-70 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -200mA 200mW -0.6V -1.2V -30V -1microA 3Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-75A 1.7mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -200mA 150mW -0.6V -1.2V -30V -1microA 3Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-59/TO-236 2.8mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -200mA 200mW -0.6V -1.2V -20V -1microA 2Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-70 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -200mA 200mW -0.6V -1.2V -20V -1microA 2Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-75A 1.7mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -200mA 150mW -0.6V -1.2V -20V -1microA 2Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-59/TO-236 2.8mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -100mA 200mW -1V -2V -50V -1microA 4.8Ohm -10V 7Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-59/TO-236 2.8mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 ○ 150Cel 1 Pチャネル -100mA 200mW -1V -2V -50V -1microA 4.8Ohm -10V 7Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-70 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -100mA 200mW -1V -2V -50V -1microA 4.8Ohm -10V 7Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-75A 1.7mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -100mA 150mW -1V -2V -50V -1microA 4.8Ohm -10V 7Ohm -4V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-59/TO-236 2.8mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -550mA 200mW -0.4V -1.3V -20V -1microA 0.67Ohm -4.5V 1.1Ohm -2.5V 1.6Ohm -1.8V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-70 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -550mA 200mW -0.4V -1.3V -20V -1microA 0.67Ohm -4.5V 1.1Ohm -2.5V 1.6Ohm -1.8V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 開発中 SC-75A 1.7mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -550mA 150mW -0.4V -1.3V -20V -1microA 0.67Ohm -4.5V 1.1Ohm -2.5V 1.6Ohm -1.8V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-59/TO-236 2.8mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -2A 200mW -0.4V -1.2V -20V -10microA 100mOhm -4.5V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用, シリコン P チャンネル MOS 形シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-59/TO-236 2.8mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 ○ 150Cel 1 Pチャネル -2A 200mW -0.4V -1.2V -20V -10microA 100mOhm -4.5V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形電界効果トランジスタ 量産体制 SC-59/TO-236 2.8mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -2A 200mW -0.4V -1.2V -20V -10microA 100mOhm -4.5V
イサハヤ電子
MOSFET 高速スイッチング用、シリコンPチャンネルMOS形 量産体制 SC-62/SOT-89 4.4mm 2.5mm 1.5mm 表面実装 1.5mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -2.3A 0.65W -1V -2.5V -30V -1microA 115mOhm -10V 140mOhm -4.5V