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GaAsデバイス

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
適用中のフィルタ
メーカ名 =
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MMIC Wideband silicon low-noise amplifier MMIC 量産体制 HXSON6/SOT1209 表面実装 0.5mm 6 -
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MMIC Wideband silicon low-noise amplifier MMIC 量産体制 -
NXPセミコンダクターズ
MMIC Wideband silicon low-noise amplifier MMIC 量産体制 -
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MMIC MMIC wideband amplifier 生産中止 SOT363/SC-88 @NXP/EIAJ 1.8mm 1.15mm 表面実装
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MMIC W-CDMA 2100MHz to 2200MHz power MMIC 廃止品 SOT834-1 15.8mm 10.9mm 3mm
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MMIC W-CDMA 2100MHz to 2200MHz power MMIC 廃止品 SOT822-1 15.8mm 10.9mm 3mm 表面実装
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HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors 生産中止 PLD-1.5 表面実装
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HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors 生産中止 PLD-1.5 表面実装
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HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors 生産中止 PLD-1.5 表面実装
NXPセミコンダクターズ
HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors 生産中止 PLD-1.5 表面実装
NXPセミコンダクターズ
HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 生産中止 PLD-1.5 表面実装
NXPセミコンダクターズ
HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 生産中止 PLD-1.5 表面実装
NXPセミコンダクターズ
HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors 生産中止 PLD-1.5 表面実装
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HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors 生産中止 PLD-1.5 表面実装
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HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 生産中止 NI-360HF 表面実装
NXPセミコンダクターズ
HEMT Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 廃止品 表面実装