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NEXTY実績
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
NXPセミコンダクターズ
製品供給状態 =
開発中
生産中止予定
新規設計非推奨
事前準備
量産体制

購入する 表示件数:
NXPセミコンダクターズ
MOSFET RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 新規設計非推奨 PLD-1.5/466-03 6.605mm 5.845mm 1.74mm 表面実装 4 - 150Cel 1 Nチャネル 4A 62.5W 1V 2.1V 40V 1microA