Home » IC » メモリ » フラッシュメモリ

フラッシュメモリ

使い方動画
IC > メモリ > フラッシュメモリ (13)
会員専用

NEXTY実績ありのみ・・・ネクスティ エレクトロニクスが民生・車載分野で利用した実績がある部品を検索できます
NEXTYサポートを優先する・・・ユーザ様が所属している会社に対して商圏があるメーカが検索結果の上位に表示されます
　　　　　　　　　　　　　　 　NEXTYサポートがある部品については部品の技術的な問い合わせが可能となります

NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
メモリ容量(ビット）[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
読み出しサイクル時間[Min] (s)
書込みサイクル時間[Min] (s)
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Typ] (V)
電源電圧[Max] (V)
有効メモリブロック数[Min]
有効メモリブロック数[Max]
セル読み出し時間[Max] (s)
ブロック消去時間[Typ] (s)
ブロック消去時間[Max] (s)
セル書込み時間[Typ] (s)
セル書込み時間[Max] (s)
電源電圧種類
レベルセル種類
適用中のフィルタ
メーカ名 =
マイクロン・テクノロジー

購入する 表示件数:
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F1G08シリーズ 量産体制 TSOP-48(CPL) 18.4mm 12mm 表面実装 0.5mm 48 - 1Gbit 8bit 0Cel 70Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 100000cycle 1004 1024 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F1G08シリーズ 量産体制 TSOP-48(CPL) 18.4mm 12mm 表面実装 0.5mm 48 - 1Gbit 8bit 0Cel 70Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 100000cycle 1004 1024 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F2G08Aシリーズ 量産体制 TSOP-48(CPL) 18.4mm 12mm 表面実装 0.5mm 48 - 2Gbit 8bit 0Cel 70Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 2008 2048 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F2G08シリーズ 量産体制 TSOP-48(CPL) 18.4mm 12mm 表面実装 0.5mm 48 - 2Gbit 8bit 0Cel 70Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 100000cycle 2008 2048 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F2G08シリーズ 量産体制 TSOP-48(CPL) 18.4mm 12mm 表面実装 0.5mm 48 - 2Gbit 8bit -40Cel 85Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 100000cycle 2008 2048 25micros 2ms 10ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F2G08シリーズ 量産体制 VFBGA-63 11mm 9mm 表面実装 0.8mm 63 - 2Gbit 8bit -40Cel 85Cel 30ns 30ns 1.7V 1.8V 1.95V 100000cycle 2008 2048 30ns 2ms 10ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F2G16シリーズ 量産体制 TSOP-48(CPL) 18.4mm 12mm 表面実装 0.5mm 48 - 2Gbit 1056word 16bit -40Cel 85Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 100000cycle 2008 2048 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ Automotive NAND Flash Memory MT29F2G16シリーズ 量産体制 VFBGA-63(HC) 13mm 10.5mm 表面実装 0.8mm 63 - 2Gbit 1056word 16bit -40Cel 85Cel 25ns 25ns 1.7V 1.8V 1.95V 100000cycle 2008 2048 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F4G08シリーズ 量産体制 VFBGA-63 (H4) 11mm 9mm 表面実装 0.8mm 63 - 4Gbit 8bit 0Cel 70Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 100000cycle 4016 4096 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F4G08シリーズ 量産体制 TSOP-48(CPL) 18.4mm 12mm 表面実装 0.5mm 48 - 4Gbit 8bit -40Cel 85Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 100000cycle 4016 4096 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F4G08シリーズ 量産体制 TSOP-48(CPL) 18.4mm 12mm 表面実装 0.5mm 48 - 4Gbit 8bit -40Cel 85Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 100000cycle 4016 4096 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F4G16シリーズ 量産体制 VFBGA-63 (H4) 11mm 9mm 表面実装 0.8mm 63 - 4Gbit 1056word 16bit 0Cel 70Cel 25ns 25ns 1.7V 1.8V 1.95V 100000cycle 4016 4096 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC
マイクロン・テクノロジー
フラッシュメモリ NAND Flash Memory MT29F8G08シリーズ 量産体制 VFBGA-63 (H4) 11mm 9mm 表面実装 0.8mm 63 - 8Gbit 8bit 0Cel 70Cel 20ns 20ns 2.7V 3.3V 3.6V 100000cycle 4016 4096 25micros 0.7ms 3ms 200micros 600micros 1.8V/3.3V SLC